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이차전지 복합 음극재 CVD

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실리콘 카본 계열의 복합음극재 CVD

설비제작
KEY POINT

  • 증착 설비 내부 온도 정밀도 ( +/- 3 °C 이내 ) 필수
  • 위해 가스 방지를 위한 밀봉 및 방폭 설계 필수
  • CVD 증착 조건 형성을 위한 원료 유동성 설계 필수
  • 설비 무인화 공정 설계 필수

㈜불카누스의 SiH4 GAS CVD 설비 + 부동화 장치

  • 용도
    가용 온도 (단위: °C)
    생산량
    사용분위기
  • 이차전지 복합 음극 소재 ( Si-C ) 제조용
    Max650 °C  / Working 450 °C
    20 ton/year
    - CVD 설비 : SiH4 GAS + N2 GAS - 부동화 장치 : N2 GAS + O2 GAS

고순도 나노 실리콘 제조 장치

  • 용도
    가용 온도 (단위: °C)
    생산량
    사용분위기
  • 이차전지 복합 음극 소재 ( Si ) 제조용
    Max850 °C  / Working 750 °C
    1,200 ton/year
     H2 GAS+ N2 GAS

CH4 GAS CVD 설비

  • 용도
    가용 온도 (단위: °C)
    생산량
    사용분위기
  • 이차전지 복합 음극 소재 ( SiOx-C ) 제조용
    Max950 °C  / Working 680 °C
    300 ton/year
    CH4 GAS + N2 GAS